10月16日，山東有研艾斯12英寸集成電路用大硅片產業化項目通線量產儀式在德州天衢新區舉行，該項目一期投資25億元，達產后可實現12英寸拋光片月產10萬片，是中國有研布局的重點項目，也是山東省內第一條12英寸集成電路用大硅片生產線。

12英寸硅片的面積是8英寸的2.25倍，可使用率是8英寸的2.5倍左右，單片可產出的芯片數量增加，經濟效益明顯，隨著集成電路制程和工藝的發展，硅片趨向大尺寸化和制程精細化，12英寸硅片為當前及未來較長時間內的主流產品。

通線量產儀式前一日，記者走進山東有研艾斯生產車間，整個操作車間一塵不染，生產硅片對潔凈環境要求非常高，在每個車間，工人們都穿著潔凈服進行操作，在線切割車間，單晶硅經過切割機操作被切割成厚度僅一毫米的硅片，而這僅僅是硅片切割的首個環節。

“硅片制作程序非常復雜，有線切割、倒角、研磨等40-50道工序，對平整度要求極高，硅片直徑300毫米，而頭發直徑只有100微米，但最終硅片出廠時最高與最低的平整度誤差不能超過0.1微米。”山東有研艾斯總經理閆志瑞舉例介紹道。

清洗檢測是硅片出廠前的最后一道程序，透過操作車間玻璃可以看到，工作人員正操作專用儀器查看硅片表面顆粒數量及尺寸。“我們是山東唯一一家生產12英寸大硅片的企業，硅片直徑越大，對材料和技術的要求就越高，制造難度也越大，生產過程涉及亞微米甚至納米級別的結構，工藝穩定性、產品質量參數一致性、單臺設備產能和產品單位成本持續降低控制等都是我們需要考慮的因素。”閆志瑞告訴記者。

據悉，12英寸硅片技術參數要求比8英寸更高，各工藝環節需要長期積累，其中單晶工藝是最為核心的技術，其決定了硅片尺寸、電阻率、純度、氧含量、位錯、晶體缺陷，山東有研艾斯攻克了單晶微缺陷、硅片幾何尺寸、硅片表面沾污等關鍵技術指標，已在多家國內外知名集成電路制造企業開展產品驗證。

硅片是集成電路的基石，有研先后在德州投資近100億元在德州建設了7個項目，8英寸硅片、高純濺射靶材等4個項目已建成投產。8月18日，刻蝕設備用硅材料及硅片擴產項目開工建設。總投資62億元的12英寸大硅片項目，于去年4月開工建設。

“從8英寸到12英寸不僅僅是尺寸的變大。”閆志瑞坦言，目前12英寸是全世界直徑最大的主流產品，硅片的直徑越大，可利用的面積比例越高，每一個集成塊的成本就越低，追根到底是一個成本的降低，該項目同樣也是山東省唯一一家制作12英寸硅片的廠家，全部達產后將形成360萬片/年大硅片的生產規模，徹底改變我國依賴進口的局面。

德州集成電路產業歷經10年發展，從無到有，從起步到起勢，正處在加速發展期。目前，已初步形成涵蓋半導體材料、芯片設計、封裝測試、終端應用等環節的集成電路產業鏈。電子信息產業入選山東省戰略性新興產業集群和特色產業集群，正爭創國家級戰新產業集群。德州現有電子信息規上企業123家，去年實現主營收入近300億元，其中半導體規上企業10家，實現營收70億元，近五年來，半導體產業產值年均增長近20%。德州集成電路產業已成為全省半導體產業高質量發展的重要增長極。

德州天衢新區是德州發展半導體產業的主陣地，目前，德州天衢新區依托中國有研“集成電路關鍵材料國家工程研究中心”，打造了占地800余畝，總投資93.4億元的中國集成電路關鍵材料（德州）基地，包括8英寸、12英寸硅片、高純濺射靶材、刻蝕設備用硅材料等七個項目。全部達產后將形成年產6英寸硅片180萬片、8英寸硅片276萬片、12英寸硅片360萬片、12-18英寸硅單晶504噸、高純濺射靶材4.3萬塊、高純貴金屬213噸，將成為北方最大的集成電路用大硅片生產基地，使山東省躋身硅材料產業國內第一方陣、靶材產業遙遙領先。

（大眾日報客戶端記者 賀瑩瑩 通訊員 韓哲 宋釗銘 報道）